Leistungshalbleiter

Infineon Technologies
© Infineon Technologies

Infineon Technologies

Integrierter Temperatursensor

Infineon Technologies bringt die neue, mit einem integrierten Temperatursensor ausgestattete CoolMOS S7T-Produktfamilie auf den Markt. Durch die Integration wird die Genauigkeit der Temperaturmessung direkt am Halbleiter verbessert.

Markt&Technik
Power Talk 3
© Componeers GmbH

Power-Talk Teil 3

Geopolitische Herausforderungen

Aus Sicht der Leistungshalbleiter-Branche wäre es sinnvoller, in Europa Fabs mit...

Markt&Technik
Infineon Technologies
© Infineon Technologies

Infineon sieht SiC-Zukunft bei Trench

»Das Gesamtpaket muss den Einsatzanforderungen entsprechen«

Neben heutigen Applikationen in den Bereichen Automotive und Industrie wird SiC nach...

Markt&Technik
Power-Talk Teil 1
© Componeers GmbH

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole...

Markt&Technik
onsemi
© onsemi

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Onsemi hat seine SiC-MOSFETs der EliteSiC-M3S-Technologie auf die Anforderungen...

Markt&Technik
Wolfspeed
© Wolfspeed

Milliarden-Investitionen für SiC

Der Wettlauf hat längst begonnen

Natürlich wird die Automobilindustrie bis 2030 weiterhin der größte Abnehmer von...

Markt&Technik
Banana Images/stock.adobe.com
© Banana Images/stock.adobe.com

Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern

Mitsubishi und Nexperia kooperieren

Mitsubishi Electric ist eine strategische Kooperation mit Nexperia eingegangen, um in...

Markt&Technik
Bild eines Wafer vor Leiterplatten
© Infineon Technologies

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen...

Elektronik
onsemi
© onsemi

Oberseitig gekühlte MOSFETs

Höhere Leistungsdichte statt Überhitzung

MOSFETs, die ihre entstehende Abwärme direkt an einen Kühlkörper abgeben, erzeugen...

Markt&Technik
WBG-Halbleiterschalter wie SiC-FETs haben geringe, statische, dynamische Verluste. Sie halten hohen Impulsströmen stand. Wie lassen sich die Eigenschaften quantifizie
© vectorpouch | stock.adobe.com

Wide-Bandgap-Materialien im Fokus

Impulsstrompotenzial von SiC-FETs

WBG-Halbleiterschalter wie etwa SiC-FETs zeichnen sich durch geringe statische und...

Elektronik